IT之家在十一月十日发布了消息, 根据韩国的ZDNET Korea在今天所报道的内容, 三星电子这家公司已经定下了一个计划, 这个计划的目的是为了争取在明年的年初时期, 把先进封装技术中的“3D Cube-H”这项工作的开发任务给完成掉。
据报道, 3D Cube 这种东西, 它实际上就是一种把好多好多个芯片, 一层一层地摞起来的那种特别先进的一种封装的方式的技术。
大家想一想, 就是和我们平常那种传统的, 芯片们是平平地排成一排那样的结构的话, 是完全不一样的一回事, 这个叫做 3D Cube 的这个东西更厉害的就是在于说, 它能够做到的这一点就是让相同的面积之内, 可以集成进去更多的晶体管数量。
在很久之前的时候, 三星电子就把叫做热压键合的这种技术给研发出来了, 那个技术有个名字叫做TC Bonding, 他们做出了一个3D Cube-T的产品。
而现在正在做的事情呢, 是把一种叫混合键合的技术拿来用在这里, 这个技术大家在IT之家里面能看到有人标注它的那个英文名是Hybrid Bonding, 然后基于这个技术在研发的, 是一个叫做3D Cube-H的东西。
关于3D Cube-H这项技术来说, 它主要的应用方向是用于超高性能的AI芯片领域, 假设说三星电子方面能够把这项技术研发工作给成功搞定, 并且实现量产的话, 那么在他们的晶圆代工业务板块里面, 是有机会去争取并获得一些大客户的订单支持的。
据一位熟悉相关情况的业内人士表示, 三星电子此前一直在积极开发面向3D系统（逻辑）芯片的混合键合技术。公司的计划在明年初完成第一个设计套件。随后将会开始与潜在客户进行评估这一事项。
三星电子他们现在一直都在搞那个端子间距, 也就是Pitch, 大概就是6微米左右的那种3D Cube-H产品。
你要是拿它跟目前还在用的那些传统TC键合技术相比的话, 你就会发现, 用那个传统技术做出来的芯片, 它的端子间距, 差不多至少得有25微米那么宽了。这么一对比来看, 你就会很清楚, 3D Cube-H这个产品的端子间距, 其实是小得多的。
另外有一位人士说了, 这个人是在半导体行业工作的，他说的是, 要是用混合键合技术的话, 那么芯片彼此之间的连接密度就会大大的提高, 与此同时呢, 每比特的能耗也就降低了, 在散热的这个问题上, 该技术也比TC键合要更有 advantages 一些。
